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990 EVO MZ-V9E1T0B-IT [M.2 NVMe 内蔵SSD / 1TB / PCIe Gen4x4 / SSD 990 EVO シリーズ / 国内正規代理店品]

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SAMSUNG サムスン

990 EVO MZ-V9E1T0B-IT [M.2 NVMe 内蔵SSD / 1TB / PCIe Gen4x4 / SSD 990 EVO シリーズ / 国内正規代理店品]

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2024年1月 発売

容量:1TB PCIe 4.0 x4 NVMe M.2 SSD
前モデル(970 EVO Plus 2TB)よりも約43%高速化した最大5,000MB/sのシーケンシャル読み出し性能、また電力効率が70%向上し、モダンスタンバイにより長いバッテリー寿命をサポートします。
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シリーズ ラインナップ

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ネット価格 ¥9,980(税込)

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製品特徴

先を行くスピード

990 EVOは、最大5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大700K/800K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus 2TBより最大43%高速です。ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。

* シーケンシャルおよびランダム書き込み性能は、Intelligent TurboWriteテクノロジを有効にして測定されました。Intelligent TurboWriteは、特定のデータ転送サイズ内でのみ動作します。パフォーマンスは、SSDのファームウェア、システムのハードウェアと構成、その他の要因によって異なる場合があります。詳細については、最寄りのサービスセンターにお問い合わせください。
* テストシステム構成: AMD Ryzen9 7950x 16 コアプロセッサー CPU@4.5GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2 (PC5-38400)、OS-Windows 11 Pro 64 ビット、チップセット – ASRock X670E Taichi
* 990 EVOのパフォーマンスを最大限に引き出すには、Inteまたは AMDのウェブサイトでシステムがPCIe® 4.0 または PCIe® 5.0をサポートしているかご確認ください。
※商品画像は実際の商品とは異なる場合がございます。

進化した電力効率

電源を入れたまま使い続けましょう。前モデルに比べて電力効率が70%改善され、バッテリー残量を心配することなく、より長くコンピューティング作業を行うことができます。また、モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができます。

* 970 EVO Plusシーケンシャル読み出し/書き込み – 636/550 MB/ワット、990 EVOシーケンシャル読み出し/書き込み – 1,020/933 MB/ワット (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)

スマートな放熱

990 EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。

あらゆるタスクに適した柔軟性

1台のSSDですべてのタスクを実行します。パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。最新のPCIe® 4.0 x4およびPCIe® 5.0 x2インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。

Samsung Magician ソフトウェア

Samsung Magicianソフトウェアは、内蔵SSD、ポータブルSSD、メモリカード、USBフラッシュドライブなどのSamsung製メモリストレージ製品をサポートする為に設計されたユーティリティソフトウェアです。最新バージョンのMagicianソフトウェアは、これまで別ソフトとして存在していたSamsung Data Migrationソフトウェア(データ移行ソフト)を統合し、ユーザーにとって包括的なソリューションに生まれ変わりました。また、大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、最新のファームウェアのアップデートを入手します。

イノベーションを生み出す原動力

サムスンのNAND型フラッシュメモリは、何十年にもわたり私たちの暮らし方を変えた画期的な技術を支えてまいりました。このNAND型フラッシュ技術は、当社のコンシューマSSDにも搭載され、次世代イノベーションの道を切り開いています。

詳細スペック

容量 1TB インターフェース PCIe Gen.4 x4
厚さ 2.38mm フラッシュ規格 Samsung V-NAND TLC
規格 M.2 (Type2280) 最大読み込み速度 5000MB/s
最大書き込み速度 4200MB/s コントローラ SAMSUNG
容量:1TB PCIe 4.0 x4 NVMe M.2 SSD

先を行くスピード
990 EVOは、最大5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大 700K/800K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus 2TBより最大43% 高速です。ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。

進化した電力効率
電源を入れたまま使い続けましょう。前モデルに比べて電力効率が70%改善され、バッテリー残量を心配することなく、より長くコンピューティング作業を行うことができます。
また、モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができます。

スマートな放熱
990 EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。

あらゆるタスクに適した柔軟性
1台のSSDですべてのタスクを実行します。パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。最新のPCIe 4.0 x4およびPCIe 5.0 x2インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。

Samsung Magician ソフトウェア
Samsung Magicianソフトウェアは、内蔵SSD、ポータブルSSD、メモリカード、USBフラッシュドライブなどのSamsung製メモリストレージ製品をサポートする為に設計されたユーティリティソフトウェアです。
最新バージョンのMagicianソフトウェアは、これまで別ソフトとして存在していたSamsung Data Migrationソフトウェア(データ移行ソフト)を統合し、ユーザーにとって包括的なソリューションに生まれ変わりました。また、大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、最新のファームウェアのアップデートを入手します。

イノベーションを生み出す原動力
サムスンのNAND型フラッシュメモリは、何十年にもわたり私たちの暮らし方を変えた画期的な技術を支えてまいりました。このNAND型フラッシュ技術は、当社のコンシューマSSDにも搭載され、次世代イノベーションの道を切り開いています。

実際の記憶容量が公表値よりも小さい容量になることがございますが、計算方法の違いによるものです。
これは仕様であり異常ではありません。


※ デザイン/仕様等は予告なく変更される場合があります。

詳細スペック

製品 Samsung SSD 990 EVO
型番 MZ-V9E1T0B-IT MZ-V9E1T0B-IT/EC MZ-V9E2T0B-IT MZ-V9E2T0B-IT/EC
容量(*1) 1TB (1,000GB) 2TB (2,000GB)
インターフェース
(転送速度・規格値)
PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2、NVMe™ 2.0 (*2)
フォームファクタ M.2 (2280)
外形寸法(L×W×H) ※最大値 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
搭載デバイス NANDフラッシュ Samsung V-NAND TLC
コントローラ Samsung 自社製コントローラ
キャッシュメモリ HMB (Host Memory Buffer)
パフォーマンス(*3)(*4)※最大値 シーケンシャル 読み出し 5,000 MB/s
書き込み 4,200 MB/s
ランダム(QD1 Thread1) 読み出し 20,000 IOPS
書き込み 90,000 IOPS
ランダム(QD32 Thread16) 読み出し 680,000 IOPS 700,000 IOPS
書き込み 800,000 IOPS
消費電力(*5) 動作時(平均) 読み出し 60 mW 5.5 W
書き込み 4.5 W 4.7 W
待機時 60 mW
L1.2モード時 5 mW
使用環境 温度範囲 動作時:0℃~70℃ 非動作時:-40℃~85℃
湿度範囲 5%~95%(結露なきこと)
耐久性 耐衝撃性 非動作時:1,500G、0.5ms期間、3軸
耐振動性 非動作時:20~2,000Hz、20G
MTBF
(平均故障間隔)
150万時間
各種機能 TRIMサポート ○ ※OSが対応している場合
ガベージ
コレクション
S.M.A.R.T
(自己診断機能)
セキュリティ AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0
Encrypted Drive (IEEE1667)
保証・サポート TBW 600TB 1,200TB
保証期間 5年限定保証(*7)
製品サポート サムスンSSDサポートセンターによる電話、メールでのテクニカルサポート
各種取得規格・法規制 VCCI、RoHS指令準拠 (10物質)(*8)
ソフトウェア(*9) Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応
添付品 インストールガイド&保証情報

(*1) 1ギガバイト(GB) = 1,000,000,000バイト(IDEMA規定)。容量の一部がシステムファイルやメンテナンスに使用される可能性があるため、実際の容量は、製品ラベルの表示と異なる場合があります。

(*2) 本製品はPCIe 4.0 x2およびPCIe 3.0 x4と下位互換性があります。

(*3) パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。パフォーマンス測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X 16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro 64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi

(*4) シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンス測定値はIntelligent TurboWrite(インテリジェントターボライト)テクノロジー有効時のものです。Intelligent TurboWrite(インテリジェントターボライト)は特定のデータ転送容量内でのみ動作します。詳細は各地域のサポートセンターにお問い合わせください。

(*5) 消費電力の測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 9 7950X 16コアプロセッサーCPU@4.50GHz、DDR5 4800MHz 16GBx2、OS-Windows 11 Pro 64bit、チップセット-ASRock-X670E-Taichi

(*6) すべての耐久試験結果はJESD218規格に準拠しております。規格の詳細については、www.jedec.orgをご覧ください。

(*7) 製品保証は、期間(5年間)もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。保証の詳細については、製品同梱の保証情報をご確認ください。

(*8) 本製品のRoHS対応については、https://semiconductor.samsung.com/jp/sustainability/environment/green-chip/in-compliance-with-international-environmental-regulations/をご覧ください。

(*9) 最新版へのアップデートが必要です。www.samsung.com/semiconductor/minisite/jp/support/tools/をご覧ください。

2024年1月時点の情報です。最新情報につきましては、日本サムスン社の製品サイト(https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/)をご確認ください。

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容量:1TB PCIe 4.0 x4 NVMe M.2 SSD

  • 容量 1TB インターフェース PCIe Gen.4 x4
  • 厚さ 2.38mm フラッシュ規格 Samsung V-NAND TLC
  • 規格 M.2 (Type2280) 最大読み込み速度 5000MB/s
  • 最大書き込み速度 4200MB/s コントローラ SAMSUNG

2025-6-25に作成